| 세계 최초 16나노 공정 적용한 1세대 제품 6월 양산
| 칩(Chip) 사이즈 혁신한 2세대 제품 10월 양산 개시
| 128Gb 제품도 개발해 대용량 솔루션 경쟁력 확보
SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)는 업계 최소 미세공정인 16나노를 적용한 64Gb(기가비트) MLC 낸드슬롯사이트 업의 본격 양산에 나섰다고 20일(水) 밝혔다.
SK하이닉스는 지난 6월 세계 최초로 16나노 공정을 적용한 1세대 제품을 양산한 데 이어, 칩(Chip) 사이즈를 줄여 원가경쟁력을 강화한 2세대 제품도 최근 양산에 나서면서 낸드슬롯사이트 업의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있는 계기를 마련하게 됐다.
또한, SK하이닉스는 양산성을 확보한 16나노 64Gb MLC 낸드슬롯사이트 업 제품의 특성과 신뢰성을 기반으로 MLC 기준 단일 칩 최대 용량인 128Gb(16GB, 16기가바이트) 제품 역시 개발 완료했다. 이 제품은 내년 초 양산될 계획이다.
일반적으로 공정이 미세화될수록 셀(Cell) 간 간섭 현상이 심해지는데, 슬롯사이트 업하이닉스는 최신 공정방법인 에어갭(Air-Gap) 기술을 적용해 16나노 공정 적용에 따른 셀 간 간섭현상을 극복할 수 있었다고 설명했다. 에어갭 기술은 회로와 회로 사이에 절연 물질이 아닌 빈 공간(Air)으로 절연층을 형성하는 기술이다.
SK하이닉스 FlashTech개발본부장 김진웅 전무는 “업계 최소 미세공정인 16나노 기술을 개발해 세계 최초로 양산한 데 이어, 이번에 128Gb MLC 제품 개발까지 완료해 대용량 낸드슬롯사이트 업 라인업도 구축하게 됐다”면서, “향후 높은 신뢰성과 데이터 사용 내구성을 확보한 낸드슬롯사이트 업 제품을 통해 고객 요구에 적극 대응해 나갈 것”이라고 밝혔다.
한편, SK하이닉스는 TLC 및 3D 낸드슬롯사이트 업 개발에도 박차를 가하는 등 낸드슬롯사이트 업 솔루션 경쟁력을 강화해나간다는 계획이다. <끝
■ 에어갭(Air-Gap)
- 데이터를 저장하는 셀(Cell)은 주변을 절연물질로 채워 전기적으로 분리해야 데이터를 안정적으로 저장할 수 있으나, 회로가 미세화 되어 셀과 셀 사이 간격이 좁아지면서 이에 따른 데이터 간섭현상도 증가하게 된다. 에어갭 기술은 이러한 간섭현상을 해결하기 위해 기존 절연물질(산화실리콘, SiO2)보다 유전상수가 낮은 공기(Air)로 셀 주변을 채워 데이터 간섭현상을 차단하는 기술이다.
■ 낸드슬롯사이트 업 관련 용어 설명
- SLC(Single Level Cell)는 셀 당 1개 비트(bit)를 저장할 수 있는 슬롯사이트 업 메모리다. 한편, 2개 이상의 비트를 저장할 수 있는 슬롯사이트 업 메모리를 MLC(Multi Level Cell)라고 부르는데, 일반적으로 셀 당 2개 비트를 저장하면 MLC, 3개 비트를 저장하면 TLC(Triple Level Cell)라고 한다.
- 3D 낸드슬롯사이트 업 : 미세공정 기술이 물리적 한계에 도달함에 따라 이를 극복하고자 기존 평면 으로 배열된 셀을 수직으로 쌓아 올려 대용량을 실현하는 제품이다.