│업계 최고속 3.6Gbps 속도로 초당 460GB 데이터 처리
│인공지능(AI)·슈퍼컴퓨터등4차산업을주도할최적의메모리솔루션
슬롯사이트하이닉스가 초고속 D램인 ‘HBM2E’의 본격 양산에 들어갔다. 지난해 8월 HBM2E 개발 이후 10개월만에 이룬 성과다.
슬롯사이트하이닉스의 HBM2E는 초당 3.6 기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품으로, 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있는 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이다. 용량도 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다.
초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 슬롯사이트는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기(Deep Learning Accelerator), 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 솔루션으로 주목 받고 있다. 이외에도기상변화,생물의학,우주탐사등차세대기초과학과응용과학연구를주도할엑사스케일(Exascale)슈퍼컴퓨터(초당100경번연산수행이가능한고성능컴퓨팅시스템)에채용이전망된다.
슬롯사이트하이닉스GSM담당오종훈부사장은“슬롯사이트하이닉스는세계최초로HBM제품을개발하는등인류문명에기여하는기술혁신에앞장서왔다”며“이번HBM2E본격양산을계기로4차산업혁명을선도하고프리미엄메모리시장에서입지를강화할수있는기회로삼을것”이라고말했다.<끝
[참고]
■ HBM (High Bandwidth Memory,고대역폭 메모리)
-고대역폭메모리로TSV기술을활용해기존D램보다데이터처리속도를혁신적으로끌어올린고성능제품
■TSV(ThroughSiliconVia)
-D램칩(Chip)에수천개의미세한구멍을뚫어상층과하층칩의구멍을수직으로관통슬롯사이트전극으로연결슬롯사이트상호연결기술
-버퍼칩위에여러개의D램칩을적층한뒤전체층을관통슬롯사이트기둥형태의이동경로를구성해데이터,명령어,전류를전달함
-일반적으로기존에사용되던패키지방식들보다크기는30%
이상,전력소모는50%이상줄어드는효과발생
■데이터처리속도계산
-1GB(기가바이트)=8Gb(기가비트)
-슬롯사이트pin당3.6Gbpsx1024개정보입출구(I/O)=3686.4Gbps
-3686.4Gbps/8=460.8GB/s(Gb-GB환산)
▲슬롯사이트 하이닉스 HBM2E D 램 본격 양산의 주역들
*코로나19 예방을 위해 체온측정, 손소독을 실시하였으며 단체사진 촬영 중에만 마스크를 벗고 촬영하였습니다.